三星开始大规模生产236层闪存芯片 容量不超过0.8mm
2022-11-07 09:36:02 来源:快科技
从本月开始,PCIe 5.0 SSD固态盘将会陆续上市,对于用户而言,完全可以在等等看,因为厂商日子难过,会带来更多新技术和新优惠。
现在,三星宣布开始大规模生产236层3D NAND闪存芯片,并将其命名为第8代V-NAND,方案能带来2400MTps 的传输速度(对应的SSD传输速度轻松超过12GBps)。
得益于存储容量更大。V-NAND V8闪存的厚度依然可以控制在合理水平,封装512GB容量也不超过0.8mm,可以用于新一代智能手机。
按照三星的表述,与现有相同容量的闪存芯片相比,新一代3D NAND可提高提高20%的单晶生产率,从而进一步降低了成本,这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘。
在未来,三星的V-NAND闪存堆栈层数还会进一步提升,路线图中的目标是超过500层,这被视为3D闪存的极限,不过三星还在想法突破,最终能制造1000层堆栈的3D闪存。
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