进度远超预想，国产光刻机或将于年内突破芯片7nm制程量产难关

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卡脖子问题正在被逐渐解决，国产光刻机产业正在突围

8月2日，据《证券日报》消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。

据悉，上海微电子在之前90nm的基础上，即将量产28nm immersion式光刻机，在2023年交付国产第一台SSA/800-10W光刻机设备。

immersion式光刻机是浸没式光刻机，采用ArF光源，也就是193nm波长的光源，这是第四代光刻机，这也标志着中国和ASML在光刻机上仅有1代的差距，上海微电子凭借此项制程工艺也将会直接赶超日本佳能、尼康厂商，成为继荷兰ASML后，全球第二先进的光刻机厂商巨头。

理论上，SSA/800-10W光刻机设备是可以实现7nm节点工艺制程，但是会使得需要的光罩数量非常多，工艺复杂，量产难度大。应当指出，即使导入EUV，也并不是所有流程均由EUV承担，主要是应用在MOS器件关键层，其它对关键尺寸要求不高的步骤将仍由普通光刻机承担。

另外，上海微电子还有2.5D/3D封装光刻机，精度在0.6微米左右，和前道光刻机有差距，但依然属于世界领先水平。此前，上海微电子就曾公开表示，在泛半导体方面有所研究，有多个技术路线，但是具体细节不能透露。

当然，光刻机只是整个半导体制造产业链中的一环，还涉及到光刻胶、光刻气体、光源、物镜、涂胶显影、光掩膜版等诸多环节，我国也都有多家公司在积极突破，提高国产率。

总的来说，目前该消息的发布信息量很大，关键环节的突破可能只剩时间问题了。毕竟，中国国产光刻机的消息其实就和过去诸多卡脖子技术的突破一样，外界永远不知道进度，或许未来某一天，国产光刻机已经大规模量产了。

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